TOKIO–( COMPANY CORD)– Kioxia Company, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Network Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2, compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene simultáneamente una corriente de encendido alta y una corriente de apagado ultrabaja. A través de esta tecnología se espera conseguir una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de bajo consumo que aproveche la propiedad de fuga u.
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