TÓQUIO–( COMPANY CABLE)– A Kioxia Company, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o desenvolvimento da OCTRAM (Oxide-Semiconductor Network Transistor DRAM), novo tipo de DRAM 4F2, composta por transistor semicondutor de óxido que tem uma alta corrente ON e uma corrente OFF ultrabaixa, simultaneamente. Espera-se que essa tecnologia produza uma DRAM de baixo consumo de energia, trazendo à tona a propriedade de vazamento ultrabaixo do transistor InGaZnO * 1. Isso foi anunciado
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