TOKYO–( COMPANY CORD)– Kioxia Company, leader mondial des services de mémoire, a annoncé aujourd’ hui le développement de la technologie OCTRAM (Oxide-Semiconductor Network Transistor DRAM), un nouveau kind de DRAM avec design 4F2, composée d’un transistor semi-conducteur à oxyde qui possède à la fois un un courant ON élevé et un courant OFF ultra-faible. Cette technologie devrait permettre d’obtenir une DRAM à faible consommation d’énergie en mettant en valeur la propriété de fuite
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