TOKIO–( ORGANIZATION CORD)– Pass Away Kioxia Company, ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, gab heute pass away Entwicklung von OCTRAM (Oxide-Semiconductor Network Transistor DRAM) bekannt, einem neuen Typ von 4F2 -DRAM, der aus einem Oxid-Halbleiter-Transistor besteht, der gleichzeitig einen hohen EIN-Strom und einen extrem niedrigen AUS-Strom aufweist. Diese Technologie soll einen DRAM mit niedrigem Stromverbrauch realisieren, indem sie pass away extrem geringe Leckage-Eigenschaft des InGaZnO * 1.
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