SAN FRANCISCO–( ORGANIZATION CORD)– Kioxia Firm e Sandisk Firm hanno sviluppato un’ innovativa tecnologia delle memorie flash 3D stabilendo il criteria del settore grazie a una velocità dell’ interfaccia NAND pari a 4,8 Gb/s, efficienza superiore del consumo di potenza e maggiore densità dei little bit. Presentata all’ ISSCC 2025, la tecnologia avanzata delle memorie flash 3D, insieme all’ innovativa tecnologia del legame diretto tra il wafer del CMOS e quello dell’ variety di celle (CBA), incorpo
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