TOKYO–( ORGANIZATION CORD)– Kioxia Company, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha annunciato oggi lo sviluppo di OCTRAM (il transistor a canale a ossido-semiconduttore DRAM), un nuovo tipo di DRAM 4F2, costituito da un transistor a ossido-semiconduttore che presenta contemporaneamente un’ elevata corrente di accensione e una bassissima corrente di spegnimento. Si prevede che story tecnologia dovrebbe realizzare una DRAM a basso consumo sfruttando le proprietà di bassissima di
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