日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美国商业资讯)– Toshiba Digital Units & Storage Company (“Toshiba”)开发了“X5M007E120”，这是一款用于汽车牵引逆变器[2]的裸片[1]1200V碳化硅(SiC) MOSFET，其采用的创新结构可以同时提供低导通电阻和高可靠性。供客户评估的测试样品现已出货。 反向导通操作期间[4]，当体二极管双极通电[3]时，普通SiC MOSFET的可靠性会因导通电阻增加而降低。Toshiba SiC MOSFET通过一种器件结构来缓解这个问题，该器件结构将肖特基势垒二极管(SBD)嵌入MOSFET以使体二极管失活，但将SBD置于芯片上会减少决定MOSFET导通电阻的通道的可用面积，并增加芯片的导通电阻。 X5M007E120中嵌入的SBD以方格图案排列，而不是通常使用的条纹图案，这种排列可有效抑制器件体二极管的双极通电，同时将单极操作的上限提高到电流面积的大约两倍，即使占用相同的SBD安装面积也是如此[5]。与条纹阵列相比，通道密度也有所提高，且单位面积的导通电阻
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